本文摘要：精工技研奠定了需要高速、高精度研磨加工倍受注目的新一代半导体底板材料——碳化硅（SiC）晶圆的技术。目前早已开始面向研究机构及元件厂商研发部门供应样品。该技术使用了产业技术综合研究所（产总研）公开发表的技术。 其特点是使用了不向碳化硅结晶产生多余压力的研磨加工，需要减少加工变形并提升晶圆面精度。表面光洁度为0.1nm，超过了外延膜生长所需的Ra值（0.3nm）以下；而且需要通过延长研磨时间提升量产效率，未来将会沦为倍受期望的新一代半导体底板——碳化硅晶圆的实用化技术。

精工技研奠定了需要高速、高精度研磨加工倍受注目的新一代半导体底板材料——碳化硅（SiC）晶圆的技术。目前早已开始面向研究机构及元件厂商研发部门供应样品。该技术使用了产业技术综合研究所（产总研）公开发表的技术。

其特点是使用了不向碳化硅结晶产生多余压力的研磨加工，需要减少加工变形并提升晶圆面精度。表面光洁度为0.1nm，超过了外延膜生长所需的Ra值（0.3nm）以下；而且需要通过延长研磨时间提升量产效率，未来将会沦为倍受期望的新一代半导体底板——碳化硅晶圆的实用化技术。除碳化硅外，还可用作加工市场正在较慢不断扩大的白色LED底板材料蓝宝石、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）结晶等。样品供应月底2007年7月开始，今后，该公司预计在自己的工厂（千叶县松户市）内完备小批量生产体制，构筑量产体制。

碳化硅与目前半导体底板材料的主流——硅（Si）比起，具备耐高电压、耐高温、电力损失小的优点，未来将会应用于发电及电缆等电力设备、通信系统和工厂的电源装置、电车和汽车的驱动装置等必须掌控低电压低电流的装置。但是，由于碳化硅硬度较高，无法展开研磨加工，其量产技术过去仍然是大问题。

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